早曝光出来，对于后面的发展极为不利。
从光刻工厂实验工厂顺利完成芯片制造之后，发生的事情就和所预料的那样。
虽然说，王东来已经研发出了EDA设计软件和光刻胶之类的核心设备以及材料。
但这并不代表着我们就完全解决了光刻领域的技术难关。
就像是现在，在集合了全国的尖端人才，还是卡在了照明系统这里。
在光刻机里面，照明系统看似不起眼，实际却很重要。
可以这么说，能出现在光刻机里面的技术和材料，就没有一个是简单的。
工业技术皇冠的明珠，这绝对不是虚言。
回到euv光刻机上面，利用极深紫外光成像，做到原子极的光滑度，来保证光刻精度和能量效率。
镜面稍微有一点问题，或是凸起，或是凹陷，又或者尺寸不对，都会造成 euv光线的严重散射和衍射，从而导致光线传播方向偏离，最后晶圆上的电路图案出现错位等问题。
芯片的良品率就不用想了，低的吓人。
而这还只是在光刻机上面，当扩大到光刻工厂的时候，情况就更加复杂了。
精度不变，但是因为规模放大了，控制准度就呈指数上升。
本来，国内的技术连光刻机里的照明系统都无法完成，达到国际一流水平。
现在，又放到了光刻工厂上面，难度自然是极大的。
固然说是之前的光刻工厂实验工厂已经获得成功，但这并不代表着就能完全照搬。
王东来把相关技术的大门都已经打开了。
原本想着以调集的全国尖端科研人才，应该是可以研发下去的。
结果，三天两头就遇到问题，然后来找王东来解决。
这也正是他一直泡在实验室里的原因。
通常遇到这样的技术难题，王东来就算是再怎么谈起，也会在第一时间解决。
毕竟，光刻工厂这个技术，对于目前的国内来说，还是严重超标了。
甚至于，为了更早地建成，他都已经把很多技术进行了简化，降低了要求标准。
现在到了这一步，他也只能咬牙坚持下去了。
总不能，让这么大的一个项目成为笑话。
而就在他细细斟酌如何写离子束抛光、磁控溅射技术方案的时候。
一个电话打了过来，是从魔都打过来的。
接过电话，简单
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